Pievienot darbus Atzīmētie0
Darbs ir veiksmīgi atzīmēts!

Atzīmētie darbi

Skatītie0

Skatītie darbi

Grozs0
Darbs ir sekmīgi pievienots grozam!

Grozs

Reģistrēties

interneta bibliotēka
Atlants.lv bibliotēka

Izdevīgi: šodien akcijas cena!

Parastā cena:
1,99
Ietaupījums:
0,24 (12%)
Cena ar atlaidi*:
1,75
Pirkt
Identifikators:721500
Autors:
Vērtējums:
Publicēts: 19.03.2007.
Valoda: Latviešu
Līmenis: Vidusskolas
Literatūras saraksts: Nav
Atsauces: Nav
Darba fragmentsAizvērt

Šis process ir ļoti sarežģīts un ilgstošs. Pusvadītāju ražošana attiecas uz izgatavošanas procesu rindu, kura ražo integrālās mikroshēmas (IM). Vairākums IM ir balstītas uz iespiestām shēmu plāksnēm. Plāksnes var būt izgatavotas no dažādiem pamatiem. Plašāk izplatītais ir silīcijs (Si). Citi ir gallija arsēnīds (GaAs) un Indija fosfīds (InP).Pusvadītāju izgatavošanas procesu nosacīti var iedalīt trīs galvenajās kategorijās:

1.bezsaturīgu plākšņu ražošana, kad ražo plāksnes, kas vēl neveic pusvadītāju ražošanu.
2.pusvadītāju izgatavošana, kad uz plāksnēm ražo integrētas mikroshēmas (IM).
3.montāža un fasēšana, kur plāksnes sagriež atsevišķās IM, kuras tad tiek samontētas paketē.


1.Pusvadītāju plākšņu izgatavošana

No kvarca (SiO2) iegūst tīru silīciju. Silīciju izkausē un ielej veidnē, atdziestot tas pakāpeniski kristalizējas un izveidojas silīcija kristāls, to sauc par kristālu audzēšanu. Iegūtie silīcija monokristāli tiek sagriezti apaļās plāksnītēs, kuras pēc tam tiek mehāniski slīpētas un pulētas.
Silīcija plāksnes tiek apstrādātas ar skābekli pie augstas temperatūras, kas parasti ir 1000 0C. Šādā temperatūrā uz plāksnes izveidojas silīcija dioksīda slānis jeb plēve (SiO2). Regulējot skābekļa iedarbības laiku un silīcija plāksnes temperatūru, var regulēt oksīda slāņa biezumu. SiO2 piemīt augsta ķīmiska stabilitāte, labas dielektriķa īpašības un mehāniska stiprība, kas nodrošina tā silīcija izolāciju, kas atrodas zem plēves. Izgatavojot mikro struktūras, šis oksīda slānis ir ne tikai elektriski izolējošs materiāls, bet arī nodrošina ķīmisko un elektrisko silīcija virsmas stabilizāciju, kā arī aizsargā silīciju no nevēlamām iedarbībām tālākajos tehnoloģiskās apstrādes posmos. Šis slānis pēc izvēles var tikt noņemts atsevišķās vietās turpmākajos procesos. Skābekļa avots oksidācijā var būt tvaiks (slapjā oksidēšana) vai skābeklis (sausā oksidēšana). Dažreiz oksidācijas laikā izmanto hlora avotus, lai izmainītu oksīda raksturīgās pazīmes.Ja ir nepieciešams apstrādāt kādus apgabalus, kas atrodas zem oksīda slāņa, to slāni ir nepieciešams noņemt no atbilstošajiem apgabaliem. To veic litogrāfija. Šī procesa mērķis ir pārnest zīmējumu uz plāksnes virsmas, lai pēc tam uz tās izveidotu nepieciešamos slāņus.…

Autora komentārsAtvērt
Darbu komplekts:
IZDEVĪGI pirkt komplektā ietaupīsi −2,26 €
Materiālu komplekts Nr. 1120775
Parādīt vairāk līdzīgos ...

Nosūtīt darbu e-pastā

Tavs vārds:

E-pasta adrese, uz kuru nosūtīt darba saiti:

Sveiks!
{Tavs vārds} iesaka Tev apskatīties interneta bibliotēkas Atlants.lv darbu par tēmu „Pusvadītāju izgatavošanas process”.

Saite uz darbu:
https://www.atlants.lv/w/721500

Sūtīt

E-pasts ir nosūtīts.

Izvēlies autorizēšanās veidu

E-pasts + parole

E-pasts + parole

Norādīta nepareiza e-pasta adrese vai parole!
Ienākt

Aizmirsi paroli?

Draugiem.pase
Facebook
Twitter

Neesi reģistrējies?

Reģistrējies un saņem bez maksas!

Lai saņemtu bezmaksas darbus no Atlants.lv, ir nepieciešams reģistrēties. Tas ir vienkārši un aizņems vien dažas sekundes.

Ja Tu jau esi reģistrējies, vari vienkārši un varēsi saņemt bezmaksas darbus.

Atcelt Reģistrēties