Pievienot darbus Atzīmētie0
Darbs ir veiksmīgi atzīmēts!

Atzīmētie darbi

Skatītie0

Skatītie darbi

Grozs0
Darbs ir sekmīgi pievienots grozam!

Grozs

Reģistrēties

interneta bibliotēka
Atlants.lv bibliotēka

Izdevīgi: šodien akcijas cena!

Parastā cena:
4,49
Ietaupījums:
0,49 (11%)
Cena ar atlaidi*:
4,00
Pirkt
Identifikators:473922
Vērtējums:
Publicēts: 10.03.2011.
Valoda: Latviešu
Līmenis: Augstskolas
Literatūras saraksts: 5 vienības
Atsauces: Nav
SatursAizvērt
Nr. Sadaļas nosaukums  Lpp.
MIKROTEHNOLOĢIJAS    3
1.  Mikroelektronika    3
2.  Mikroelektronikas sastāvdaļas un izstrādājumi    3
3.  Materiāli pusvadītāju mikroshēmām    3
4.  Dažādu elektrisko pāreju iegūšanas metožu lietojamība mikroelektronikā    4
5.  Pusvadītāju virsmas un tās apstrādes    4
5.1.  Mehāniskā virsmas apstrāde    5
5.2.  Ķīmiskā pusvadītāju materiālu virsmas apstrāde    5
6.  Kārtiņu uznešanas metode    5
6.1.  Epitaksijas    5
6.2.  Plānu kārtiņu elektrofizikālās īpašības    6
7.  Reljefa veidošana    7
7.1.  Fotolitogrāfija    7
7.2.  Fotošabloni    8
II  NANOTEHNOLOĢIJAS    9
1.  Realizētie pielietojumi    12
2.  Bioloģiskā atdarināšana    13
3.  Nākotnes pielietojumi    14
4.  Oglekļa nanocaurulītes    14
4.1.  Atklājums    15
5.  Fullerēns    15
6.  Nanotehnoloģijas vēža šūnu iznīcināšanai    16
7.  Nanotehnoloģiju ietekme uz cilvēka veselību    16
  Izmantotā literatūra    19
Darba fragmentsAizvērt

Pamatmateriāls pusvadītāju IS ir monokristālisks pusvadītājs mikroshēmas plāksnei, kuras tilpumā un uz tās virsmas formē mikroshēmas elementus, starpsavienojumus un kontaktlaukumus. Pusvadītāja materiāla izmantojamību mikroshēmas plāksnei nosaka daudzu fizikālo, ķīmisko un tehnoloģisko īpašību kopums. Kā galvenās īpašības minamas:
aizliegtās zonas platums, piejaukuma elementu elektronu enerģētisko līmeņu stāvoklis tajā;
elektrovadītspējas maiņas iespējas leģējot (tās maksimālā un minimālā vērtība);
lādiņnesēju kustīgums un dzīves laiks;
siltumvadītspēja;
kušanas temperatūra;
oksīdu īpašības;
labu monokristālu iegūšanas iespējas.
Visplašāk pusvadītāju IS lieto silīciju, no elementāriem pusvadītājiem vēl izmanto germāniju.
Visoptimālākais elektrofizikālo un tehnoloģisko parametru kopums integrālām pusvadītāju mikroshēmām, kuru noteicošie aktīvie elektroradioelementi ir diodes, tranzistori, lauktranzstosi vai ierīces ar lādiņa saiti, ir silīcijs. Silīcija ierīču tehnoloģiskās un daudzas ekspluatācijas izriet no silīcija dioksīda labām izolatora un aizsarg slāņa īpašībām. Silīcija leģēšanai izmantojamo periodiskās sistēmas trešās un piektās grupas (B, P, As, Sb) difūzijas koeficenti SiO2 kārtiņās ir par vairākām kārtām mazāki nekā silīcijā. Tas ļauj, leģējot silīciju, difūzijas procesā izmantot SiO2 kā aizsargmasku. SiO2 kārtiņu minimālo biezumu nosaka veidojamo difūzijas slāņa biezums. Uz SiO2 aizsargmasku izmantošanu balstās planārā silīcija ierīču un IS tehnoloģija. SiO2 kārtiņas labi aizsargā gatavās silīcija ierīces ekspluatācijas apstākļos no ārējās vides iedarbības.
Integrālas mikroshēmas kristāla elektriskai pievienošanai mikroshēmas korpusa izvadiem vispiemērotākais ir zelta stieplītes, dažreiz izmanto arī alumīnija stieplītes. [1]…

Autora komentārsAtvērt
Parādīt vairāk līdzīgos ...

Nosūtīt darbu e-pastā

Tavs vārds:

E-pasta adrese, uz kuru nosūtīt darba saiti:

Sveiks!
{Tavs vārds} iesaka Tev apskatīties interneta bibliotēkas Atlants.lv darbu par tēmu „Mikro un nanotehnoloģijas”.

Saite uz darbu:
https://www.atlants.lv/w/473922

Sūtīt

E-pasts ir nosūtīts.

Izvēlies autorizēšanās veidu

E-pasts + parole

E-pasts + parole

Norādīta nepareiza e-pasta adrese vai parole!
Ienākt

Aizmirsi paroli?

Draugiem.pase
Facebook
Twitter

Neesi reģistrējies?

Reģistrējies un saņem bez maksas!

Lai saņemtu bezmaksas darbus no Atlants.lv, ir nepieciešams reģistrēties. Tas ir vienkārši un aizņems vien dažas sekundes.

Ja Tu jau esi reģistrējies, vari vienkārši un varēsi saņemt bezmaksas darbus.

Atcelt Reģistrēties