Pievienot darbus Atzīmētie0
Darbs ir veiksmīgi atzīmēts!

Atzīmētie darbi

Skatītie0

Skatītie darbi

Grozs0
Darbs ir sekmīgi pievienots grozam!

Grozs

Reģistrēties

interneta bibliotēka
Atlants.lv bibliotēka

Izdevīgi: šodien akcijas cena!

Parastā cena:
3,99
Ietaupījums:
0,56 (14%)
Cena ar atlaidi*:
3,43
Pirkt
Identifikators:743491
Autors:
Vērtējums:
Publicēts: 16.06.2010.
Valoda: Krievu
Līmenis: Vidusskolas
Literatūras saraksts: 10 vienības
Atsauces: Nav
SatursAizvērt
Nr. Sadaļas nosaukums  Lpp.
  Содержание    2
  Монокристаллы    3
  Интегральная микросхема    8
  Фотолитография    13
  Закон Мура    15
  Источники информации    17
Darba fragmentsAizvērt

Физические свойства кристаллов обусловлены атомно-кристаллической структурой, ее симметрией, силами связи между атомами и энергетичским спектром электронов решетки, а некоторые из свойств – дефектами идеальной структуры. Поляризуемость, преломление и поглощение света, электро- и магнитострикция, пьезоэлектричество и пьезомагнетизм, собственная проводимость математически описываются тензорами, ранг которых зависит от типа воздействия на кристалл и его отклика. Кристалл рассматривается как сплошная анизотропная среда. В некоторых кристаллах ионы, образующие решетку, располагаются так, что кристаллы оказывается самопроизвольно электрически поляризованным (пироэлектрики). Проводимость и другие электронные свойства кристаллов связаны с квантовомеханическим характером движения в них свободных электронов, которые вследствие дифракции на кристаллической решетке в некоторых направлениях распространяться не могут, возникает запрещенная зона. Кристаллы с полностью заполненными зонами валентных электронов - диэлектрики. В металлах электронов в зоне проводимости много, они хорошо проводят электрический ток. Ряд свойств кристаллов -- прочность, пластичность, окраска, люминеcцентные свойства -- зависят от количества и типов дефектов. В бездислокационных кристаллах (Ge, Si), а также в нитевидных прочность в 10-100 раз больше, чем в обычных. …

Darbu komplekts:
IZDEVĪGI pirkt komplektā ietaupīsi −3,15 €
Materiālu komplekts Nr. 1230475
Parādīt vairāk līdzīgos ...

Nosūtīt darbu e-pastā

Tavs vārds:

E-pasta adrese, uz kuru nosūtīt darba saiti:

Sveiks!
{Tavs vārds} iesaka Tev apskatīties interneta bibliotēkas Atlants.lv darbu par tēmu „Создание интегральных микросхем”.

Saite uz darbu:
https://www.atlants.lv/w/743491

Sūtīt

E-pasts ir nosūtīts.

Izvēlies autorizēšanās veidu

E-pasts + parole

E-pasts + parole

Norādīta nepareiza e-pasta adrese vai parole!
Ienākt

Aizmirsi paroli?

Draugiem.pase
Facebook
Twitter

Neesi reģistrējies?

Reģistrējies un saņem bez maksas!

Lai saņemtu bezmaksas darbus no Atlants.lv, ir nepieciešams reģistrēties. Tas ir vienkārši un aizņems vien dažas sekundes.

Ja Tu jau esi reģistrējies, vari vienkārši un varēsi saņemt bezmaksas darbus.

Atcelt Reģistrēties