Pievienot darbus Atzīmētie0
Darbs ir veiksmīgi atzīmēts!

Atzīmētie darbi

Skatītie0

Skatītie darbi

Grozs0
Darbs ir sekmīgi pievienots grozam!

Grozs

Reģistrēties

interneta bibliotēka
Atlants.lv bibliotēka

Izdevīgi: šodien akcijas cena!

Parastā cena:
0,99
Ietaupījums:
0,15 (15%)
Cena ar atlaidi*:
0,84
Pirkt
Identifikators:933016
Autors:
Vērtējums:
Publicēts: 22.02.2007.
Valoda: Angļu
Līmenis: Pamatskolas
Literatūras saraksts: Nav
Atsauces: Nav
Darba fragmentsAizvērt

One of the promising applications of magnetic tunnel junctions (MTJs) is a magnetic random access memory (MRAM). The basic concept of MRAM is to use the magnetization direction in MTJs for information storage. “0” and “1” correspond to parallel and antiparallel magnetizations in a MTJ. The information bits can be written by passing a current through a MTJ, and they can be read out by measuring the resistance difference. The figure below shows schematically the architecture of MRAM. MRAM promises a high density, non-volatility and a low power consumption. The large TMR signal in MTJs also makes them attractive for magnetic-media read heads and other types of sensor applications.
Magnetic Tunnel Junction

A magnetic tunnel junction (MTJ) consists of two layers of magnetic metal, such as cobalt-iron, separated by an ultrathin layer of insulator, typically aluminum oxide with a thickness of about 1 nm. The insulating layer is so thin that electrons can tunnel through the barrier if a bias voltage is applied between the two metal electrodes. In MTJs the tunneling current depends on the relative orientation of magnetizations of the two ferromagnetic layers, which can be changed by an applied magnetic field. This phenomenon is called tunneling magnetoresistance (TMR).

Darbu komplekts:
IZDEVĪGI pirkt komplektā ietaupīsi −1,53 €
Materiālu komplekts Nr. 1183433
Parādīt vairāk līdzīgos ...

Nosūtīt darbu e-pastā

Tavs vārds:

E-pasta adrese, uz kuru nosūtīt darba saiti:

Sveiks!
{Tavs vārds} iesaka Tev apskatīties interneta bibliotēkas Atlants.lv darbu par tēmu „Magnetic Random Access Memory”.

Saite uz darbu:
https://www.atlants.lv/w/933016

Sūtīt

E-pasts ir nosūtīts.

Izvēlies autorizēšanās veidu

E-pasts + parole

E-pasts + parole

Norādīta nepareiza e-pasta adrese vai parole!
Ienākt

Aizmirsi paroli?

Draugiem.pase
Facebook
Twitter

Neesi reģistrējies?

Reģistrējies un saņem bez maksas!

Lai saņemtu bezmaksas darbus no Atlants.lv, ir nepieciešams reģistrēties. Tas ir vienkārši un aizņems vien dažas sekundes.

Ja Tu jau esi reģistrējies, vari vienkārši un varēsi saņemt bezmaksas darbus.

Atcelt Reģistrēties