Pievienot darbus Atzīmētie0
Darbs ir veiksmīgi atzīmēts!

Atzīmētie darbi

Skatītie0

Skatītie darbi

Grozs0
Darbs ir sekmīgi pievienots grozam!

Grozs

Reģistrēties

interneta bibliotēka
Atlants.lv bibliotēka

Izdevīgi: šodien akcijas cena!

Parastā cena:
3,99
Ietaupījums:
0,68 (17%)
Cena ar atlaidi*:
3,31
Pirkt
Identifikators:683216
Autors:
Vērtējums:
Publicēts: 12.12.2011.
Valoda: Latviešu
Līmenis: Augstskolas
Literatūras saraksts: Nav
Atsauces: Nav
Darba fragmentsAizvērt

2. Teorētiskais pamatojums
p-n pārejas galvenās īpašības
Ja no n tipa un p tipa pusvadītājiem izveido monokristālu, tad abu pusvadītāju
savienojuma vietā izveidojas p-n pāreja. Atomu termiskās paškustības rezultātā p-n
pārejā brīvie lādiņnesēji pārvietojas caur robežvirsmu. Šādā veidā elektroni no
materiāla ar n piejaukumu nonāk apgabalā ar p piejaukumu, bet caurumi no materiāla
ar p piejaukumu - n apgabalā. Šo procesu sauc par "difūziju".
Diode un tās V-A raksturlīkne
Diode. Elektroniska ierīce ar diviem izvadiem, kurā strāva plūst vienā virzienā. Ir divu veidu diodes - vakuuma diodes (elektronu lampas) un pusvadītāju diodes. …

Autora komentārsAtvērt
Parādīt vairāk līdzīgos ...

Nosūtīt darbu e-pastā

Tavs vārds:

E-pasta adrese, uz kuru nosūtīt darba saiti:

Sveiks!
{Tavs vārds} iesaka Tev apskatīties interneta bibliotēkas Atlants.lv darbu par tēmu „Pusvadītāju diodes pētīšana”.

Saite uz darbu:
https://www.atlants.lv/w/683216

Sūtīt

E-pasts ir nosūtīts.

Izvēlies autorizēšanās veidu

E-pasts + parole

E-pasts + parole

Norādīta nepareiza e-pasta adrese vai parole!
Ienākt

Aizmirsi paroli?

Draugiem.pase
Facebook
Twitter

Neesi reģistrējies?

Reģistrējies un saņem bez maksas!

Lai saņemtu bezmaksas darbus no Atlants.lv, ir nepieciešams reģistrēties. Tas ir vienkārši un aizņems vien dažas sekundes.

Ja Tu jau esi reģistrējies, vari vienkārši un varēsi saņemt bezmaksas darbus.

Atcelt Reģistrēties