-
Микроэлектроника
Особенностью микроэлектронных устройств является высочайшая степень сложности выполняемых ими функций. Для решения сложных задач создаются схемы, в которых число компонентов может доходить до 107…108. Очевидно, что при таком числе элементов обеспечить правильность связей между ними и надёжность функционирования вручную невозможно. Отсюда следует ключевое требование максимальной автоматизации производства изделий микроэлектронной техники.
Пинципиально важным моментом является то, что при изготовлении микросхем используется групповой метод производства. Суть его заключается в том, что на одной пластинке полупроводникового материала одновременно изготавливается большое число интегральных схем. Кроме того, если позволяет технологический процесс, одновременно в работе находится несколько десятков пластин. По завершении основного технологического цикла пластина режется на кристаллы, каждый из которых представляет собой отдельную микросхему. На заключительной стадии осуществляют корпусирование – помещение кристалла в корпус и соединение контактных площадок с выводами (ножками) интегральной схемы.
Групповой метод производства и необходимость выполнения большого числа электрических соединений делают оптимальной и безальтернативной планарную технологию изготовления микросхем. При этом все элементы и их составляющие, а также необходимые соединения формируются в интегральной схеме через плоскость.
В заключение следует сказать, что в основе развития микроэлектроники лежит непрерывное усложнение функций, выполняемых электронной аппаратурой, и расширение круга решаемых с помощью этой аппаратуры задач. …
Краткая история развития микроэлектроники История развития микроэлектроники – это неотъемлемая часть истории технического прогресса. Без всякого сомнения, «первотолчком» к зарождению микроэлектроники послучило изобретение американцами Дж. Бардином и У. Браттейном точечного транзистора (1948 г.). Первые транзисторы изготавливались на основе германия и были весьма несовершенны. В качестве основных недостатков можно указать нестабильность характеристик и выраженную зависимость их от температуры, повышенный уровень шумов, малую мощность и высокую стоимость. Следующий важный шаг в развитии транзисторной техники был связан с изобретением в 1951 г. плоскостного транзистора и практически совпал по времени с массовым переходом от германия к кремнию. Позднее опыт изготовления транзисторов, основанный на диффузии, способствовал разработке групповой технологии производства транзисторов, что резко снизило их стоимость. В 1952 году был изобретён (униполярный) транзистор.