Pusvadītāju ietaišu un integrālo mikroshēmu izgatavošanas tehnoloģiju parasti sadala 3 daļās:
1) Vielu slāņu vai plēvju uzlikšana uz pusvadītāju plāksnēm;
2) Vielu noņemšana no pusvadītāju plāksnēm;
3) Piemaisījumu atomu/jonu pārkārtošana starp ārējo vidi un pusvadītāju plākšņu virsmu vai tilpumu.
Pirmajos divos procesos mainās tikai plākšņu ģeometrija, bet pēdējā – sastāvs, iekšējo apgabalu īpašības un struktūra. Parasti pielieto silicija kristāla plāksnes ar p-tipa vadītspēju. Tehnoloģiskā procesā tiek apstrādāta tikai viena silicija plāksnes puse, tāpēc tehnoloģija saucās planārā tehnoloģija.
…
