Создание интегральных микросхем

Физические свойства кристаллов обусловлены атомно-кристаллической структурой, ее симметрией, силами связи между атомами и энергетичским спектром электронов решетки, а некоторые из свойств – дефектами идеальной структуры. Поляризуемость, преломление и поглощение света, электро- и магнитострикция, пьезоэлектричество и пьезомагнетизм, собственная проводимость математически описываются тензорами, ранг которых зависит от типа воздействия на кристалл и его отклика. Кристалл рассматривается как сплошная анизотропная среда. В некоторых кристаллах ионы, образующие решетку, располагаются так, что кристаллы оказывается самопроизвольно электрически поляризованным (пироэлектрики). Проводимость и другие электронные свойства кристаллов связаны с квантовомеханическим характером движения в них свободных электронов, которые вследствие дифракции на кристаллической решетке в некоторых направлениях распространяться не могут, возникает запрещенная зона. Кристаллы с полностью заполненными зонами валентных электронов - диэлектрики. В металлах электронов в зоне проводимости много, они хорошо проводят электрический ток. Ряд свойств кристаллов -- прочность, пластичность, окраска, люминеcцентные свойства -- зависят от количества и типов дефектов. В бездислокационных кристаллах (Ge, Si), а также в нитевидных прочность в 10-100 раз больше, чем в обычных. …