2. Teorētiskais pamatojums
p-n pārejas galvenās īpašības
Ja no n tipa un p tipa pusvadītājiem izveido monokristālu, tad abu pusvadītāju
savienojuma vietā izveidojas p-n pāreja. Atomu termiskās paškustības rezultātā p-n
pārejā brīvie lādiņnesēji pārvietojas caur robežvirsmu. Šādā veidā elektroni no
materiāla ar n piejaukumu nonāk apgabalā ar p piejaukumu, bet caurumi no materiāla
ar p piejaukumu - n apgabalā. Šo procesu sauc par "difūziju".
Diode un tās V-A raksturlīkne
Diode. Elektroniska ierīce ar diviem izvadiem, kurā strāva plūst vienā virzienā. Ir divu veidu diodes - vakuuma diodes (elektronu lampas) un pusvadītāju diodes. …
