• Rūpnieciskās silīcija monokristālu audzēšanas matemātiskā modelēšana

     

    Konspekts3 Fizika

Autors:
Vērtējums:
Publicēts: 19.04.2012.
Valoda: Latviešu
Līmenis: Augstskolas
Literatūras saraksts: 4 vienības
Atsauces: Ir
  • Konspekts 'Rūpnieciskās silīcija monokristālu audzēšanas matemātiskā modelēšana', 1.
  • Konspekts 'Rūpnieciskās silīcija monokristālu audzēšanas matemātiskā modelēšana', 2.
  • Konspekts 'Rūpnieciskās silīcija monokristālu audzēšanas matemātiskā modelēšana', 3.
  • Konspekts 'Rūpnieciskās silīcija monokristālu audzēšanas matemātiskā modelēšana', 4.
  • Konspekts 'Rūpnieciskās silīcija monokristālu audzēšanas matemātiskā modelēšana', 5.
Darba fragmentsAizvērt

Pusvadītājs ir materiāls, kas elektrības vadīšanas spējas ziņā ierindojams starp metāliem un dialektriķiem, kuriem ir maz brīvo lādiņu nesēji, un kura elektrovadītspēja ir atkarīga no elektronu kustības rakstura. Pie tiem pieder daudzi ķīmiskie elementi no IV, V un VI grupas, arī iepriekš minētais silīcijs. Pusvadītāji ir ārkārtīgi jūtīgi pret ārējo iedarbību, piemēram, to elektrovadītspēja ir atkarīga no apgaismojuma, temperatūras. Gandrīz jebkuras mūsdienu elektroniskās ierīces darbības balstās uz pusvadītāju fizikālajām īpašībām.i Jūtība pret gaismu tiek izmantota integrālo shēmu izveidē, kas aprakstīta darba turpinājumā. …

Atlants