Autors:
Vērtējums:
Publicēts: 16.09.2025.
Valoda: Latviešu
Līmenis: Augstskolas
Literatūras saraksts: Nav
Atsauces: Nav
Laikposms: 2021. - 2025. g.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 1.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 2.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 3.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 4.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 5.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 6.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 7.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 8.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 9.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 10.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 11.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 12.
  • Konspekts 'Bipolārie tranzistori', 13.
Darba fragmentsAizvērt

 bipolāros tranzistorus (no ang. val. bipolar junction transistor – BJT) iedala divās grupās: NPN un PNP tipa;


Att. 1. PNP un NPN tranzistoru struktūra un simboli (pa kreisi) un darba režīmi (pa labi)

 BJT darba režīmi:
Darba režīms Nosacījumi Īpašības
Pārvades VBE > 0, VBC < 0 Liels pastiprinājums un laba atsaiste starp ieeju un izeju
Piesātinājuma VBE > 0, VBC > 0 Nav atsaistes un tranzisotrs ir piesātināts ar mazākuma lādiņnesējiem ⇒ lai izietu no piesātinājuma režīma nepieciešams laiks
Atgriezeniskais VBE < 0, VBC > 0 Zems pastiprinājums
Nogriezuma VBE < 0, VBC < 0 Tranzistorā plūst niecīgas sproststrāvas: darbojas gandrīz kā atvērta ķēde

Autora komentārsAtvērt
Atlants