Vērtējums:
Publicēts: 07.12.2004.
Valoda: Latviešu
Līmenis: Augstskolas
Literatūras saraksts: Nav
Atsauces: Nav
  • Konspekts 'Elektronu ierīces. Pusvadītāju diodes', 1.
  • Konspekts 'Elektronu ierīces. Pusvadītāju diodes', 2.
  • Konspekts 'Elektronu ierīces. Pusvadītāju diodes', 3.
  • Konspekts 'Elektronu ierīces. Pusvadītāju diodes', 4.
  • Konspekts 'Elektronu ierīces. Pusvadītāju diodes', 5.
  • Konspekts 'Elektronu ierīces. Pusvadītāju diodes', 6.
  • Konspekts 'Elektronu ierīces. Pusvadītāju diodes', 7.
  • Konspekts 'Elektronu ierīces. Pusvadītāju diodes', 8.
  • Konspekts 'Elektronu ierīces. Pusvadītāju diodes', 9.
  • Konspekts 'Elektronu ierīces. Pusvadītāju diodes', 10.
  • Konspekts 'Elektronu ierīces. Pusvadītāju diodes', 11.
Darba fragmentsAizvērt

Aprēķināt četras caurlaides raksturlīknes un rezultātus ierakstīt tabulā.

Piezīme
1.aprēķini jāveic ar 3 vērtīgiem cipariem.
2.pirmās divas diodes ir Ge, trešā un ceturtā Si

Parametru apzīmējumi

T (Cels.) – temperatūra celsijos
T (K) – temperatūra kelvinos
UT (mV) – siltuma potenciāls
RB (oM) – bāzes pretestība RB = 6 (Ω)
I0(273) – diodes siltumstrāva
IF (mA) – caurlaides līdzsrāva, kas plūst caur diodi caurlaides virzienā
k – Bolcmaņa konstante k =1, 38*10-23J/K
T – absolūtā temperatūra K T = 273 + t (K)
e – elektrona lādiņš e = 1, 6*10-19 (C)

Aprēķināt caurlaides sprieguma diferenciālo temperatūras jutību SU UE/T, ja temperatūra pieaug par T = 10C pēc caurlaides strāvas IF =1 mA visām četrām diodēm. Rezultātus ierakstīt tabulā.…

Autora komentārsAtvērt
Atlants