Bipolārais tranzistors sastāv no 3 pusvadītāja slāņiem: diviem p un viena n, veidojot pn- p tranzistoru (1.1. zīm.), vai diviem n un viena p, veidojot n-p-n tranzistoru. Viens malējais slānis tiek saukts par emiteru (E) un apzīmēts ar strāvas vadāmības virzienu norādošu bultiņu (strāva plūst no ārējā avota pozitīvā uz negatīvo polu). Vidējais slānis kopā ar emiteru veido vadības p-n bipolāro pāreju vai diodi bultiņas virzienā un tiek saukts par bāzi (B). Atlikušais slānis ar ārējā darba sprieguma avota palīdzību ‘’pārvelk’’ daļu no emitera pamatlādiņiem, kas vadības sprieguma ietekmē nokļuvuši bāzes slānī, uz darba sprieguma ķēdi. Šo slāni sauc par kolektoru (C) (1.1. zīm.).
Tranzistora bultiņas virziens nosaka nepieciešamo vadības un darba sprieguma avotu
polaritāti: p-n-p tranzistoram E tieši vai caur rezistoru pieslēdz pozitīvo polu, bet B un C – attiecīgo vadības un darba sprieguma avotu negatīvo polu (1.1.zīm.a); n-p-n tranzistoram E tieši vai caur rezistoru pieslēdz negatīvo polu, bet B un C - attiecīgo avotu pozitīvo polu (1.1.zīm.b).…
