Autors:
Vērtējums:
Publicēts: 01.12.2004.
Valoda: Latviešu
Līmenis: Vidusskolas
Literatūras saraksts: Nav
Atsauces: Nav
  • Konspekts 'Elektronikas apraksts', 1.
  • Konspekts 'Elektronikas apraksts', 2.
  • Konspekts 'Elektronikas apraksts', 3.
  • Konspekts 'Elektronikas apraksts', 4.
Darba fragmentsAizvērt

1.Pusvadītāju materiāli.
Pusvadītāju ierīcēs visvairāk izmanto periodiskās sistēmas 4. grupas elementus: silīciju, germāniju, kā arī dažus citus materiālus (piem. selēnu, gallija arsenīdu). Tīrs silīcijs (vai germānijs) kristalizējas telpiskā kristāliskā režģī, kurā katrs atoms ar kovalentās saites starpniecību sastīts ar 4-iem blakus esošajiem atomiem.
Pusvadītāju tehnikā visvairāk lieto nevis pilnīgi tīrus elementus, bet ar dažādām tehnoloģiskām metodēm kristālā ievada vajadzīgā koncentrācijā noteiktus piejaukuma atomus. Kā piejaukumu germānijam vai silīcijam galvenokārt izmanto periodiskās sistēmas 3. un 5. grupas elementus.
Ja Si kristālā ievadīti 5. gr. elementa (piem. fosfora) atomi, tad 4 piejaukuma atoma valentie elektroni veido saites ar Si atomiem, bet 5. valentais elektrons saiti neveido un viegli var atrauties ni atoma, kurš kļūst par pozitīvu jonu. Šādu piejaukumu, kurš kristāliem dod brīvos elektronus, sauc par donorpiejaukumu, bet pusvadītāju ar donorpiejaukumu – par n tipa pusvadītāju.…

Autora komentārsAtvērt
Atlants