Pievienot darbus Atzīmētie0
Darbs ir veiksmīgi atzīmēts!

Atzīmētie darbi

Skatītie0

Skatītie darbi

Grozs0
Darbs ir sekmīgi pievienots grozam!

Grozs

Reģistrēties

interneta bibliotēka
Atlants.lv bibliotēka

Izdevīgi: šodien akcijas cena!

Parastā cena:
4,49
Ietaupījums:
0,67 (15%)
Cena ar atlaidi*:
3,82
Pirkt
Identifikators:109360
Autors:
Vērtējums:
Publicēts: 16.09.2010.
Valoda: Latviešu
Līmenis: Augstskolas
Literatūras saraksts: Nav
Atsauces: Nav
SatursAizvērt
Nr. Sadaļas nosaukums  Lpp.
  IEVADS    3
  PUBLIKĀCIJAS APSKATS    4
1.  Membrānu eksperimentālās izgatavošanas shēmas un iegūtie dati    4
2.  Diskveida membrānu izgatavošanas (pēc ķīmiskās tvaika iespiešanās/izspiešanās tehnikas (ĶTIe/ĶTIz)) teorētiskā modelēšana un datorsimulēšana    8
3.  Cilindrveida membrānu izgatavošanas (pēc ĶTIe/ĶTIz) teorētiskā modelēšana un datorsimulēšana    15
4.  Kopsavilkums un secinājumi    19
Darba fragmentsAizvērt

4. Kopsavilkums un secinājumi
Vienpusīgo eksperimentālo pētījumu rezultāti, kā arī datorsimulācija no SiC membrānu izgatavošanas pēc ĶTIe/ĶTIz tika izklāstīta gan cauruļveida, gan diskveida membrānām. Abas membrānas izrāda ļoti līdzīgu nogulsnēšanās uzvedību. Pētījums norāda, ka TPS ĶTIe/ĶTIz process uz SiC parauga turpinās tikai tik ilgi, kamēr poru izmēri ir lielāki par molekulāro rādiusu RTPS no TPS. Ja poras sarūk līdz izmēram, kas mazāks (vai vienāds) ar RTPS, Ar iesūkšanās vairs nemainās, pat, ja tas turpina nogulsnēšanos. Turklāt zīmīgas porainības izmaiņas notiek galvenokārt reģionā, kas ir ļoti tuvu augšējai virsmai. Tika attīstīti divi dinamiski ĶTIe/ĶTIz procesu modeļi. Lietojot tikai 2 piemērojamus parametrus, modeļi nodrošinājuši precīzas membrānu caurspiešanās prognozes.
Tādēļ, norādot to precizitāti, modeļi var tikt lietoti tādu eksperimentālo parametru optimizēšanā, kā nogulsnēšanās ātrumi, reaģentu koncentrācijas u.c. darba parametri.

Autora komentārsAtvērt
Parādīt vairāk līdzīgos ...

Nosūtīt darbu e-pastā

Tavs vārds:

E-pasta adrese, uz kuru nosūtīt darba saiti:

Sveiks!
{Tavs vārds} iesaka Tev apskatīties interneta bibliotēkas Atlants.lv darbu par tēmu „SiC membrānu modelēšana - publikācijas apskats”.

Saite uz darbu:
https://www.atlants.lv/w/109360

Sūtīt

E-pasts ir nosūtīts.

Izvēlies autorizēšanās veidu

E-pasts + parole

E-pasts + parole

Norādīta nepareiza e-pasta adrese vai parole!
Ienākt

Aizmirsi paroli?

Draugiem.pase
Facebook
Twitter

Neesi reģistrējies?

Reģistrējies un saņem bez maksas!

Lai saņemtu bezmaksas darbus no Atlants.lv, ir nepieciešams reģistrēties. Tas ir vienkārši un aizņems vien dažas sekundes.

Ja Tu jau esi reģistrējies, vari vienkārši un varēsi saņemt bezmaksas darbus.

Atcelt Reģistrēties